EMC Und Induktivitäten - SMD Drossel

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 744786112 12nH, 600mA, 0,5Ohm, 5%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 74478605 5,6nH, 600mA, 0,3Ohm

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 74478611: 10nH, 600mA, 450 mOhm, 5%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 744786110 100nH, 600mA, 2Ohm, 5%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 744786115 15nH, 600mA, 0,55Ohm, 5%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 74478612: 22nH, 600mA, 650 mOhm, 5%

WE SMD Mehrschichtiger Induktor 744786121: 27nH, 600mA, 700 mOhm, 5%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 744786131 39nH, 600mA, 0,85 Ohm, 5%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 74478614: 47nH, 600mA, 1Ohm, 5%

WE SMD Mehrschichtiger Induktor 74478615 56nH, 600mA, 1,1Ohm, 5%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 74478617 82nH, 600mA, 1,8 Ohm, 5%

Schmid-M: Chipinduktor SCI2012-1R0 1,0uH SRF = 75MHz; RDC = 0,4Ohm; IDC = 50mA

Schmid-M: Chipinduktor SCI2012-330K SMD 33uH SRF = 13MHz; RDC = 1,25Ohm; IDC = 5mA; 10%

WE SMT Mehrschichtiger Induktor 74479022 0,15uH, 250mA, 0,4Ohm,10%

TDK MLF2012K470KT000 47 µH SMD-Induktivität 0805 Abgeschirmte Mehrschicht-Induktivität 4 mA 2,7 Ohm max. 0805 (2012 metrisch)

Schmid-M: Chipinduktor SCI2012-1R0K 1,0uH SRF = 75MHz; RDC = 0,4Ohm; IDC = 50mA ± 10% ~ TDK MLZ2012M1R0HT000 MLZ 2012 M 1R0 H T 000

Schmid-M: Chip Inductor: 1206; 0,047uH; Q=20

Schmid-M: Chip Inductor: 1206; 0,047uH; Q=20